三星将采用台积电3纳米工艺生产英伟达下一代HBM基底裸片
据报道，三星计划采用台积电3纳米工艺，为英伟达下一代定制HBM生产基底裸片。据称，英伟达已要求三星、SK海力士和美光统一使用台积电3纳米工艺制造基底裸片，并采用第六代1c DRAM工艺生产核心裸片。此举旨在提高不同供应商产品的性能一致性，并减少分别验证的工作量。三星仍将自主生产标准HBM及面向其他客户的定制产品，同时评估在台积电产能不足时由自家晶圆厂生产NVHBM基底裸片的可行性。
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