消息人士：英伟达要求三星、SK海力士和美光为定制NVHBM内存制造基底芯片
消息人士称，英伟达要求三星、SK海力士和美光使用台积电的3纳米工艺，为其定制NVHBM内存制造基底芯片。据报道，三星已同意此安排。若消息属实，这将是三星首次采用台积电的制造工艺。相关组件面向英伟达的人工智能加速器产品。
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