消息称英伟达下一代 Groq LPU 或从大容量 SRAM 转向 3D 堆叠 DRAM
据 ZDNET Korea 报道，英伟达下一代 Groq LPU AI 推理加速器有望采用基于 TSV（硅通孔）的 3D 堆叠 DRAM。当前一代产品使用大容量 SRAM 缓存实现快速解码，但 SRAM 容量相对有限，制程升级带来的存储密度提升也有限，可能制约大型模型表现和芯片迭代。Cerebras 此前也预告，未来的 CS-6 将垂直集成 DRAM。英伟达尚未确认这一设计变化。
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