美光预告 G11 NAND：堆叠超 400 层、密度翻倍，预计 2027 年下半年扩大产能
美光在年度技术网络研讨会上预告了 G11 NAND，预计于 2027 年下半年扩大产能。该公司似乎将跳过 G10 世代。G11 堆叠层数超过 400 层，并采用晶圆对晶圆键合技术，单位面积存储密度约为现有 276 层 G9 NAND 的两倍。美光还表示，其 I/O 速率最高可提升至 1.5 倍，数据传输能耗则可降低 25% 以上。针对 AI 数据中心，美光介绍了两种 NAND 设计：基于 SLC、面向 IOPS 和 GPU 直连优化的产品，以及采用类似 HBF 思路、侧重带宽的产品。
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