三星高管预计明年 HBM 将占 DRAM 产能近 30%
三星电子一名高管表示，明年高带宽内存（HBM）预计将占 DRAM 厂商晶圆总产能的近 30%，高于目前约 20%。HBM 与普通 DRAM 争夺生产产能，因此扩大 HBM 产量可能挤压标准 DRAM 的供应。HBM 是 AI 计算的关键元件，其多层堆叠设计可帮助处理器高速访问大量数据。目前，该市场主要由 SK 海力士、三星电子和美光科技主导。
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