消息称三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I，分别优化吞吐量和随机访问性能
据 ZDNET Korea 报道，三星电子正在开发多款面向 AI 工作负载的 NAND 闪存产品。除此前公布的 zNAND-O 外，产品线还包括 zNAND-T 和 zNAND-I。zNAND-T 采用 TSV 堆叠 NAND Die，旨在提升 AI 数据中心的读写带宽；zNAND-I 则侧重高 IOPS，适用于 KV Cache 卸载等频繁读写少量数据的场景。这些型号针对不同工作负载进行设计，体现出 NAND 闪存进一步走向专用化的趋势。
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