SK 海力士推出面向 AI 计算的 3D FeNAND 技术
据韩媒 The Elec 报道，SK 海力士公布了将 3D FeNAND 用于模拟存内计算（A-CiM）的研究成果，相关论文已发表于 IEEE。A-CiM 可在存储器内直接执行乘积累加运算，从而减少数据搬运。3D FeNAND 利用铁电材料的极化状态存储数据并控制电流。SK 海力士表示，单个存储单元能够产生多种电流状态，适合存储 AI 权重数据。
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