消息称三星电子 HBM4 良率接近 80%，产能爬坡加速
据韩国媒体《首尔经济日报》援引业内消息人士报道，三星电子 HBM4 内存的良率已接近 80%，提前达到原定于 2026 年底实现的目标。消息称，三星今年 2 月初步量产 HBM4 时，良率约为 60%，限制了投片量。随着良率提升，三星可能将更多 DRAM 晶圆产能分配给 HBM4。据报道，公司计划将本季度 HBM4 销售额提升至上季度的 3 倍以上，并将 HBM 在下半年整体内存业务营收中的占比扩大至 60% 以上。相关信息来自匿名消息人士，尚未得到三星官方确认。
本文来源：IT之家，仅供学习参考，版权归原作者所有。