SK 海力士公布采用英特尔 EMIB 的下一代 HBM 先进封装技术
SK 海力士正利用英特尔 EMIB 等先进封装技术开发下一代 HBM，并计划未来转向 3D 集成。在 Hot Chips 2026 大会上，该公司介绍了 HBM4 路线图：容量最高 48GB，带宽超过 2TB/s，能效较 HBM3E 提升 40% 以上。带宽增长带来的功耗上升、散热、芯片翘曲和 TSV 占用面积扩大，仍是主要挑战。SK 海力士正在研究混合键合、更细间距互连，以及用于降低局部热点热阻的 I-HBM 技术。其演示文稿将 EMIB 与多种 CoWoS 方案并列，作为 2.5D HBM 封装技术。长期来看，公司希望在加速器上方堆叠 HBM，通过更紧密的 3D 集成提升性能。
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