英特尔称14A缺陷密度曲线创22纳米以来最佳，计划2027年下半年风险试产
英特尔首席财务官David Zinsner表示，即将推出的14A制程拥有自22纳米节点以来最佳的缺陷密度曲线。英特尔目前计划于2027年下半年启动风险试产，并在2028年进入量产。14A将采用第二代RibbonFET环绕栅极晶体管、PowerDirect背部供电技术和ASML High-NA EUV光刻设备。0.5版工艺设计套件已向客户开放，0.9版预计于2026年10月发布。先进封装技术EMIB-T预计在2027年实现量产。据报道，博通和Meta正在评估将部分原定采用台积电CoWoS的项目转移至EMIB。英特尔还表示，已为谷歌计划于2027年推出的AI芯片完成EMIB-T验证，良率达到90%。英特尔预计，这些先进制造和封装技术将在2028年至2029年开始带来实质性营收。
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