消息称三星正为英伟达开发 17～18Gbps 定制 8Hi HBM
据韩国媒体报道，三星电子正在为英伟达开发一款定制 HBM 内存产品。该产品采用 8 层低堆叠设计，针脚速率据称可达 17～18Gbps。报道将其称为 HBM4E 或 NVHBM，但英伟达定制版本的基础裸片设计可能不同于标准 HBM4E。低堆叠设计有望减少 DRAM 裸片用量，提高生产良率，降低制造成本并扩大供应规模；更高的速率也可能缓解 AI 加速器面临的内存瓶颈。目前相关信息尚未得到官方确认。
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