消息称 SK 海力士 1c 纳米 DRAM 有望于 2027 年初成为主力工艺
据韩媒 ChosunBiz 报道，SK 海力士第六代 10 纳米级 DRAM 工艺 1c 纳米，有望在 2027 年初超过 1b 纳米，成为该公司的主力 DRAM 工艺。预计 1c 纳米在 SK 海力士总 DRAM 产能中的占比，将从 2026 年第一季度的 10% 逐步升至 2027 年第一季度的 35%；同期 1b 纳米占比则可能降至 33%。SK 海力士目前仍在 HBM4 中使用 1b 纳米 DRAM 裸片，但 HBM4E 将升级至 1c 纳米裸片。提前建设充足的 1c 纳米产能，有助于 AI 内存市场从 HBM4 平稳过渡到 HBM4E。
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