SK 海力士在美 HBM 生产基地动工，预计 2029 年下半年产出首款“美国制造”产品
SK 海力士已在美国印第安纳州西拉斐特为一座投资额超过 40 亿美元的 AI 存储器先进封装基地举行奠基仪式。无尘室预计于 2028 年 10 月建成，下一代 HBM 计划于 2029 年下半年开始量产。由于 SK 海力士目前在美国没有 DRAM 前端晶圆生产能力，印第安纳基地将使用在韩国生产的先进晶圆进行封装。公司还将同步建设先进封装研发测试设施，并与普渡大学开展研发合作。
本文来源：IT之家，仅供学习参考，版权归原作者所有。