消息称三星将以2nm工艺制造HBM基础裸片，延续自研4nm HBM4路线
据报道，三星正重新规划一条在建生产线，用于制造高带宽内存（HBM）的基础裸片。业内人士称，该生产线可能采用先进的2nm工艺，预计约两年后投入使用，但计划仍可能调整。HBM4将采用性能更强的总线和更多硅通孔（TSV），因此基础裸片的技术要求将进一步提高。三星晶圆代工和台积电正逐步承担相关制造工作。SK海力士也已与台积电合作生产HBM相关芯片，可采用N12和N5工艺。
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