Cerebras公布CS-6路线图:首次实现DRAM垂直集成
Cerebras在Hot Chips 2026期间公布了CS-6系统规划,计划首次引入晶圆级3D堆叠,将DRAM通过超高带宽垂直互连直接置于逻辑和SRAM晶圆之上。公司表示,该设计可让更多模型权重和状态靠近计算硬件,同时保留晶圆级架构的数据局部性和低延迟优势。Cerebras预计,这将提升单个系统可承载的模型规模,并减少运行超大模型所需的系统数量。公司还称,垂直堆叠有望将整机系统占地面积缩小5至1
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Cerebras在Hot Chips 2026期间公布了CS-6系统规划,计划首次引入晶圆级3D堆叠,将DRAM通过超高带宽垂直互连直接置于逻辑和SRAM晶圆之上。公司表示,该设计可让更多模型权重和状态靠近计算硬件,同时保留晶圆级架构的数据局部性和低延迟优势。Cerebras预计,这将提升单个系统可承载的模型规模,并减少运行超大模型所需的系统数量。公司还称,垂直堆叠有望将整机系统占地面积缩小5至1
据《华尔街日报》报道,英伟达已暂停一项面向 AI 云服务商的融资计划。该方案原本拟向云服务商提供信用支持,以换取其利用英伟达算力产生的云业务收入分成。部分员工担心,英伟达既供应芯片,又参与客户云业务收入并限制算力转租对象,可能引发反垄断审查。英伟达被指还要求部分客户只能将搭载其芯片的算力转租给获批准的对象。公司回应称,7 月推出的新模式目前仍在运作,并将持续优化。该计划后续可能被调整或并入其他业务
百度宣布将自愿把在香港交易所的第二上市地位转换为主要上市,预计于2026年9月1日生效。此次转换不涉及新股发行或融资。按照现行规则,百度最快可能于9月7日纳入港股通,从而更直接地接触中国内地及亚洲投资者资金。百度表示,第二季度一般业务收入中,AI相关收入约占一半。其AI业务包括昆仑芯、GPU云服务、AI应用和自动驾驶平台Apollo Go。主要上市地位的转换可能促使市场将百度的AI业务与传统互联网
SK 海力士已在美国印第安纳州西拉斐特为一座投资额超过 40 亿美元的 AI 存储器先进封装基地举行奠基仪式。无尘室预计于 2028 年 10 月建成,下一代 HBM 计划于 2029 年下半年开始量产。由于 SK 海力士目前在美国没有 DRAM 前端晶圆生产能力,印第安纳基地将使用在韩国生产的先进晶圆进行封装。公司还将同步建设先进封装研发测试设施,并与普渡大学开展研发合作。
Hugging Face 发布了 Microduck,一款高25厘米、售价399美元的开源机器人,计划在圣诞节前发货。它支持摇摆行走、抓取或搬运最多800克的物体、跌倒后自行起身、下蹲和滑旱冰等动作。硬件配备摄像头、激光雷达传感器及两个惯性测量单元(IMU)。其 SDK、仿真环境和完整训练栈均已在 GitHub 开源,开发者可在仿真环境中通过强化学习训练行为,再部署到实体机器人上。此次发布延续了
据路透社援引消息人士报道,Anthropic曾讨论以约70亿美元收购人工智能芯片初创公司MatX,但相关谈判目前已不再进行。MatX如今正寻求新一轮融资,目标估值约为40亿美元。
英伟达在宣布与人工智能云服务商开展收入分成计划不到两个月后,开始重新评估该计划,并暂停了相关协议。
科技行业对特朗普试图通过向数据中心和芯片征税来赢得人工智能竞争的计划感到困惑。
周四,科技股带动华尔街走高,英伟达成为最主要的推动力量。英伟达、Salesforce及其他公司公布的春季利润均高于分析师预期。这些结果表明市场对人工智能技术的需求仍然强劲,但股市反应主要反映了企业利润和业绩展望好于预期。
据一名了解相关计划的消息人士向路透社透露,英伟达计划成立一个由员工资助的政治行动委员会,名为NVPAC。这家人工智能和半导体公司希望借此加强对美国政策的影响力。
据知情人士透露,摩根大通已开始与潜在贷款方进行初步接洽,筹备一项规模为50亿美元的债务融资方案。资金将用于 Volta Infra Holdings 扩建人工智能数据中心。目前融资仍处于早期阶段,尚未最终敲定。
New Street Research全球技术基础设施负责人皮埃尔·费拉古表示,供应链问题以及美国对数据中心的反对情绪,令他对英伟达的未来感到担忧。这家芯片制造商预计下一个财年的营收将增长约70%。
雷鸟宣布,智能眼镜 iO 将搭载恒玄科技 BES2800 芯片。该芯片采用 6nm 工艺,集成多核 CPU、大容量存储、双模蓝牙和低功耗 Wi-Fi 6。iO 支持实时提示和全天智记等功能,整机重量为 34 克,在中国的上市价格为 2349 元,政府补贴后为 1996.70 元。眼镜采用钛合金镜框、智能交互旋钮和波导显示方案,并支持最高 1000 度近视适配。
谷歌正为安卓应用的内存使用设置新的限制。随着人工智能数据中心不断扩张,硬件短缺问题可能加剧,导致低价手机未来搭载更少的内存。
英特尔首席财务官David Zinsner表示,即将推出的14A制程拥有自22纳米节点以来最佳的缺陷密度曲线。英特尔目前计划于2027年下半年启动风险试产,并在2028年进入量产。14A将采用第二代RibbonFET环绕栅极晶体管、PowerDirect背部供电技术和ASML High-NA EUV光刻设备。0.5版工艺设计套件已向客户开放,0.9版预计于2026年10月发布。先进封装技术EMIB